• El boro dopó la oblea de silicio dopada fósforo con la alta resistencia para el semiconductor
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El boro dopó la oblea de silicio dopada fósforo con la alta resistencia para el semiconductor

El boro dopó la oblea de silicio dopada fósforo con la alta resistencia para el semiconductor

Datos del producto:

Lugar de origen: CHINA
Nombre de la marca: BonTek
Certificación: ISO:9001, ISO:14001
Número de modelo: Oblea de silicio

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 25 piezas
Precio: Negociable
Detalles de empaquetado: El casete/el tarro, puso en un cartón con espuma del PE.
Tiempo de entrega: 1 - 4 semanas
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 100000 pedazos/mes
Mejor precio Contacto

Información detallada

Material: Oblea de silicio Superficie: Pulido de doble cara, Pulido de una cara, Lapeado
Diámetro: 2" - 12" o como sea necesario Grueso: 0,05 mm - 10 mm
Orientación: <100> <111>, <110> Resistividad: 0,001 – 300 ohm/cm
Tipo: Tipo de P, tipo de N, lo intrínseco Dopante: B, pH, como o sin impurificar
Resaltar:

Oblea de silicio dopada fósforo

,

Oblea de semiconductor dopada boro

,

Alta oblea de silicio de la resistencia

Descripción de producto

El boro dopó la oblea de silicio dopada fósforo con la alta resistencia para el semiconductor

Las obleas de silicio son rebanadas finas de silicio crystalized puro. Estas formas puras de obleas normalmente se llaman oblea de silicio sin impurificar o intrínseca. Una de las razones de usar la oblea de silicio en industria del semiconductor es la abundancia natural de silicio. Es una del material más abundante encontrado en la tierra encontrada generalmente bajo la forma de SiO2. Otra razón de usar el silicio es que las características eléctricas del silicio se pueden controlar exacto por la adición de dopantes. Las obleas de silicio que se dopan con las impurezas tales como boro para crear el tipo las obleas y las obleas del p que se dopan con arsénico o fosforado crean el N-tipo obleas. El tipo obleas de P tiene varios agujeros cargados positivos mientras que el tipo obleas de N tiene varios electrones cargados negativos en él.

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SEMI estándar

2" (50.8m m)

3" (76.2m m)

4" (100m m)

5" (125m m)

6" (150m m)

8" (200m m)

12" (300m m)

Diámetro

50,8 ± 0.38m m 76,2 ± 0.63m m 100 ± 0.5m m 125 ± 0.5m m 150 ± 0.2m m 200 ± 0.2m m 300 ± 0.2m m

Grueso

279 ± los 25µm 381 ± los 25µm 525 µm del ± 20 o
625 ± los 20µm
625 ± los 20µm 675 ± los 20µm o
625 ± el 15µm
725 ± los 20µm 775 ± los 20µm

Tipo

P, N o lo intrínseco

Dopante

B, pH, como o sin impurificar

Orientación

<100> <111>, <110>

Rsistivity

0,001 – 300 ohm/cm

Longitud plana primaria

15,88 ± 1.65m m 22,22 ± 3.17m m 32,5 ± 2.5m m 42,5 ± 2.5m m 57,5 ± 2.5m m Muesca Muesca

Longitud plana secundaria

8 ± 1.65m m 11,18 ± 1.52m m 18 ± 2.0m m 27,5 ± 2.5m m 37,5 ± 2.5m m NA NA

Final superficial

SSP, DSP, grabados al agua fuerte, o traslapados

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Control de aceptación

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1. El producto es frágil. Lo hemos embalado adecuadamente y lo etiquetamos frágil. Entregamos a través de las compañías expresas nacionales e internacionales excelentes para asegurar calidad del transporte.

2. Después de recibir las mercancías, dirija por favor con cuidado y compruebe si el cartón externo está en buenas condiciones. Abra cuidadosamente el cartón externo y compruebe si las cajas de embalaje son alineadas. Tome una imagen antes de que usted las saque.

3. Abra por favor el envasado al vacío en un cuarto limpio cuando los productos deben ser aplicados.

4. Si los productos se encuentran dañados durante mensajero, tome por favor una imagen o registre un vídeo inmediatamente. ¡No saque los productos dañados de la caja de empaquetado! Éntrenos en contacto con inmediatamente y solucionaremos el problema bien.

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