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2" a 12" tipo tipo oblea de P de N de silicio con la alta resistencia para el semiconductor
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Phi 2" a 8" N-tipo termal P-tipo de la oblea de silicio del óxido con una capa aislador del óxido
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El boro dopó la oblea de silicio dopada fósforo con la alta resistencia para el semiconductor
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Obleas simuladas de la prueba primera de la oblea de silicio del semiconductor de 12 pulgadas
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2" a 8" oblea de silicio pulida en primero, prueba, monitor, SEMI estándar
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Semiconductor Silicon Wafer Prime Grade 3 pulgadas a 12 pulgadas
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Oblea piezoeléctrica de la modulación de alta velocidad y del ancho de banda amplio con LNOI POI
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350um fundió las obleas del portador del vidrio de Borosilicate del cuarzo de la oblea de la silicona
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Wafer de vidrio de borosilicato de cuarzo 10 mm para MEMS y semiconductores
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Oblea de la silicona fundida de 4 a 12 pulgadas
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3.5um Fd Wafer de silicio con Corning 7980 FHUV OHARA1300 Schott BF33 Zerodur
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LTV 5mmx5mm 2μm Wafer de silicio fundido TTV 20μm para la industria de semiconductores
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Primaria de 16 ± 2 mm de superficie plana de sustratos de vidrio de silicio fundido Wafer con informe de inspección 5 Sec de arco
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Oblea de la silicona fundida de JGS1 JGS2 JGS3 y obleas de cristal de BF33 C7980 BK7 H-K9L
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