• M-avión crecido método de Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch R-AXIS de Stepanov
  • M-avión crecido método de Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch R-AXIS de Stepanov
M-avión crecido método de Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch R-AXIS de Stepanov

M-avión crecido método de Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch R-AXIS de Stepanov

Datos del producto:

Lugar de origen: CHINA
Nombre de la marca: BonTek
Certificación: ISO:9001
Número de modelo: Zafiro (Al2O3)

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 5 pedazos
Precio: negotiable
Detalles de empaquetado: Casete, tarro, paquete de la película
Tiempo de entrega: 1-4 semanas
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 10000 pedazos/mes
Mejor precio Contacto

Información detallada

Material: Sapphire Wafer Tipo: Solo cristal
Color: Blanco/rojo/azul Método del crecimiento: Cristalización horizontalmente dirigida (HDC)
Superficie: Lado doble polaco Gama de la FUERZA: el 85%
Uso: Oblea de Semicondutor, microprocesador llevado, ventana de cristal óptica, cerámica electrónica Industria: Vidrio llevado, óptico, oblea eli-lista
Resaltar:

Sapphire Wafer de Stepanov

,

HDC oblea de 3 pulgadas

,

Sapphire Wafer 2Inch

Descripción de producto

M-avión crecido método de Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch R-AXIS de Stepanov

El método de Stepanov se utiliza para el crecimiento de los detalles del zafiro del monocristal de diversas configuraciones, incluyendo las barras del zafiro, los tubos y las cintas.

El método de cristalización horizontalmente dirigida es ampliamente utilizado en la síntesis de los monocristales grandes del zafiro. Los elementos de la cristalización dirigida y de la fusión zonal se combinan con éxito en el Gorizontally dirigieron método de la cristalización (HDC). El cristal crece en el movimiento lento de la zona derretida local a lo largo del envase con la carga de horno, teniendo una forma del barco. El método dirigido horizontal de la cristalización provee de recepción del zafiro monocristalino la pequeña dispersión de los tamaños del corte transversal y permite crecer el monocristal del zafiro de cualquier orientación cristalográfica bajo la forma de placas de los tamaños del registro inalcanzables en el uso de otros métodos del crecimiento.

M-avión crecido método de Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch R-AXIS de Stepanov 0M-avión crecido método de Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch R-AXIS de Stepanov 1M-avión crecido método de Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch R-AXIS de Stepanov 2

PROPIEDADES ÓPTICAS

Transmisión

0,17 a 5,5 um

Índice de refracción

1,75449 (o) 1,74663 (e) en 1,06 um

Pérdida de reflexión

en 1,06 micrones (2 superficies) para o-Ray - 11,7%; para e-Ray - 14,2%

Índice de la absorción

0,3 x 10-3 cm-1 en 2,4 um

dN/dT

13,7 x 10-6 en 5,4 um

dn/dm = 0

1,5 um

Orientación

R-avión, C-avión, Uno-avión, M-avión o una orientación especificada

Tolerancia de la orientación

± 0.3°

Diámetro

2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas u otras

Tolerancia del diámetro

0.1m m para 2 pulgadas, 0.2m m para 3 pulgadas, 0.3m m para 4 pulgadas, 0.5m m para 6 pulgadas

Grueso

0.25m m, 0.33m m, 0.43m m, 0.65m m, 1m m u otros;

Tolerancia del grueso

los 25μm

Longitud plana primaria

16.0±1.0m m para 2 pulgadas, 22.0±1.0m m para 3 pulgadas, 30.0±1.5m m para 4 pulgadas, 47.5/50.0±2.0m m para 6 pulgadas

Orientación plana primaria

± 0.2° del Uno-avión (1 1-2 0); C-avión (0 0-0 1) ± 0.2°, C-AXIS proyectado 45 +/- 2°

TTV

≤10µm para 2 pulgadas, ≤15µm para 3 pulgadas, ≤20µm para 4 pulgadas, ≤25µm para 6 pulgadas

ARCO

≤10µm para 2 pulgadas, ≤15µm para 3 pulgadas, ≤20µm para 4 pulgadas, ≤25µm para 6 pulgadas

Front Surface

Epi-pulido (Ra< 0="">

Superficie trasera

Tierra fina (Ra=0.6μm~1.4μm) o Epi-pulido

Empaquetado

Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100

M-avión crecido método de Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch R-AXIS de Stepanov 3

Control de aceptación

M-avión crecido método de Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch R-AXIS de Stepanov 4

1. El producto es frágil. Lo hemos embalado adecuadamente y lo etiquetamos frágil. Entregamos a través de las compañías expresas nacionales e internacionales excelentes para asegurar calidad del transporte.

2. Después de recibir las mercancías, dirija por favor con cuidado y compruebe si el cartón externo está en buenas condiciones. Abra cuidadosamente el cartón externo y compruebe si las cajas de embalaje son alineadas. Tome una imagen antes de que usted las saque.

3. Abra por favor el envasado al vacío en un cuarto limpio cuando los productos deben ser aplicados.

4. Si los productos se encuentran dañados durante mensajero, tome por favor una imagen o registre un vídeo inmediatamente. ¡No saque los productos dañados de la caja de empaquetado! Éntrenos en contacto con inmediatamente y solucionaremos el problema bien.

Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. M-avión crecido método de Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch R-AXIS de Stepanov ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
Esperando su respuesta.