• C-avión 1102 del R-avión 0001 Sapphire Wafer For IR y usos ULTRAVIOLETA de la longitud de onda
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C-avión 1102 del R-avión 0001 Sapphire Wafer For IR y usos ULTRAVIOLETA de la longitud de onda

C-avión 1102 del R-avión 0001 Sapphire Wafer For IR y usos ULTRAVIOLETA de la longitud de onda

Datos del producto:

Lugar de origen: CHINA
Nombre de la marca: BonTek
Certificación: ISO:9001
Número de modelo: Zafiro (Al2O3)

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 5 pedazos
Precio: Negotiable
Detalles de empaquetado: Casete, tarro, paquete de la película
Tiempo de entrega: 1-4 semanas
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 10000 pedazos/mes
Mejor precio Contacto

Información detallada

Material: Sapphire Wafer Crecimiento: Método de Kyropoulos
Punto de fusión: 2040 grados de C conductividad termal: 27,21 con (m x K) en 300 K
Extensión termal: 5,6 x 10 -6 /K (C-AXIS paralelo) y 5,0 (C-AXIS perpendicular) x 10 -6 /K Dureza: Knoop 2000 kg/mm 2 con el penetrador 2000g
Capacidad de calor específico: 419 j (kilogramo x K) Constante dieléctrica: 11,5 (paralelo C-AXIS) 9,4 (C-AXIS perpendicular) en 1MHz
Alta luz:

C-avión 0001 Sapphire Wafer

,

Solo zafiro cristalino de Kyropoulos

,

R-avión Sapphire Wafer 1102

Descripción de producto

C-avión 1102 del R-avión 0001 Sapphire Wafer For IR y usos ULTRAVIOLETA de la longitud de onda

El método del crecimiento refiere al proceso por el cual el lingote de solo zafiro cristalino es producido. Para la mayoría de las obleas del zafiro éste es el método de Kyropoulos (abreviado a KY o al Kr). El método de Kyropoulos es una continuación del método de Czochralski (CZ) que se utiliza en la fabricación de obleas de silicio. El método del Kr permite la producción de lingotes muy grandes de solo zafiro cristalino que se puedan entonces procesar en las obleas.

Los cortes típicos del zafiro son el R-avión (1102), el C-avión (0001), el Uno-avión (1120), el M-avión (1010) y el N-avión (1123). La orientación afecta a las propiedades físicas de las obleas del zafiro – y particularmente cómo ella integra y los partidos del enrejado con otros materiales.

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PROPIEDADES ÓPTICAS de SAPPHIRE Al 2O3

Alcance de transmisión

0,17 a 5,5 micrones

Índice de refracción

1,75449 (o) 1,74663 (e) en 1,06 micrones

Pérdida de reflexión

en 1,06 micrones (2 superficies) para o-Ray - 11,7%; para e-Ray - 14,2%

Ponga en un índice de la absorción

0,3 x 10-3 cm-1 en 2,4 micrones

dN/dT

13,7 x 10-6 en 5,4 micrones

dn/dm = 0

1,5 micrones

PROPIEDADES FÍSICAS de SAPPHIRE Al 2O3

Densidad

3,97 g/cm3

Punto de fusión

2040 grados de C

Conductividad termal

27,21 con (m x K) en 300 K

Extensión termal

5,6 x 10 -6 /K (C-AXIS paralelo) y 5,0 (C-AXIS perpendicular) x 10 -6 /K

Dureza

Knoop 2000 kg/mm 2 con el penetrador 2000g

Capacidad de calor específico

419 j (kilogramo x K)

Constante dieléctrica

11,5 (paralelo C-AXIS) 9,4 (C-AXIS perpendicular) en 1MHz

Módulo de Young (e)

335 GPa

(G) del módulo del esquileo

148,1 GPa

Módulo a granel (k)

240 GPa

Coeficientes elásticos

C11=496C12=164C13=115
C33=498C44=148

Límite elástico evidente

MPa 275 (40.000 PSI)

Ratio de Poisson

0,25

Orientación

R-avión, C-avión, Uno-avión, M-avión o una orientación especificada

Tolerancia de la orientación

± 0.3°

Diámetro

2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas u otras

Tolerancia del diámetro

0.1m m para 2 pulgadas, 0.2m m para 3 pulgadas, 0.3m m para 4 pulgadas, 0.5m m para 6 pulgadas

Grueso

0.25m m, 0.33m m, 0.43m m, 0.65m m, 1m m u otros;

Tolerancia del grueso

los 25μm

Longitud plana primaria

16.0±1.0m m para 2 pulgadas, 22.0±1.0m m para 3 pulgadas, 30.0±1.5m m para 4 pulgadas, 47.5/50.0±2.0m m para 6 pulgadas

Orientación plana primaria

± 0.2° del Uno-avión (1 1-2 0); C-avión (0 0-0 1) ± 0.2°, C-AXIS proyectado 45 +/- 2°

TTV

≤10µm para 2 pulgadas, ≤15µm para 3 pulgadas, ≤20µm para 4 pulgadas, ≤25µm para 6 pulgadas

ARCO

≤10µm para 2 pulgadas, ≤15µm para 3 pulgadas, ≤20µm para 4 pulgadas, ≤25µm para 6 pulgadas

Front Surface

Epi-pulido (Ra< 0="">

Superficie trasera

Tierra fina (Ra=0.6μm~1.4μm) o Epi-pulido

Empaquetado

Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100

C-avión 1102 del R-avión 0001 Sapphire Wafer For IR y usos ULTRAVIOLETA de la longitud de onda 3

Control de aceptación

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1. El producto es frágil. Lo hemos embalado adecuadamente y lo etiquetamos frágil. Entregamos a través de las compañías expresas nacionales e internacionales excelentes para asegurar calidad del transporte.

2. Después de recibir las mercancías, dirija por favor con cuidado y compruebe si el cartón externo está en buenas condiciones. Abra cuidadosamente el cartón externo y compruebe si las cajas de embalaje son alineadas. Tome una imagen antes de que usted las saque.

3. Abra por favor el envasado al vacío en un cuarto limpio cuando los productos deben ser aplicados.

4. Si los productos se encuentran dañados durante mensajero, tome por favor una imagen o registre un vídeo inmediatamente. ¡No saque los productos dañados de la caja de empaquetado! Éntrenos en contacto con inmediatamente y solucionaremos el problema bien.

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