• 4inch 0.5m m Sapphire Crystal Wafer Single Crystal C-AXIS Epi-listo
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4inch 0.5m m Sapphire Crystal Wafer Single Crystal C-AXIS Epi-listo

4inch 0.5m m Sapphire Crystal Wafer Single Crystal C-AXIS Epi-listo

Datos del producto:

Lugar de origen: CHINA
Nombre de la marca: BonTek
Certificación: ISO:9001
Número de modelo: Zafiro (Al2O3)

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 5 pedazos
Precio: negotiable
Detalles de empaquetado: Casete, tarro, paquete de la película
Tiempo de entrega: 1-4 semanas
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 10000 pedazos/mes
Mejor precio Contacto

Información detallada

Material: Sapphire Wafer Tipo: Solo cristal
Color: Blanco/rojo/azul Método del crecimiento: Cristalización horizontalmente dirigida (HDC)
Superficie: Lado doble polaco Gama de la FUERZA: el 85%
Uso: Oblea de Semicondutor, microprocesador llevado, ventana de cristal óptica, cerámica electrónica Industria: Vidrio llevado, óptico, oblea eli-lista
Resaltar:

oblea cristalina 4inch de zafiro

,

Sola oblea cristalina de HDC

,

oblea cristalina 0.5m m de zafiro

Descripción de producto

Sapphire Wafer crecida cristalización horizontalmente dirigida 4inch 0.5m m C-AXIS Epi-listo

El solo zafiro cristalino Al2O3 posee una combinación única de propiedades ópticas, físicas y químicas excelentes. El más duro de los cristales del óxido, zafiro Al2O3 conserva su de alta resistencia en las temperaturas altas, tiene buenas propiedades termales y transparencia excelente. La óptica de Sapphire Al 2O3 es químicamente resistente a muchos ácidos y álcalis en las temperaturas hasta 1000 grados de C así como al HF debajo de 300 grados de C. Estas propiedades animan su uso amplio de la óptica de Sapphire Al 2O3 en los ambientes hostiles donde la transmisión óptica en la gama del visible al infrarrojo cercano se requiere.

Ahora la mayoría de cristales está creciendo de derretimiento líquido. Las sustancias más convenientes a crecer cristalinas de un derretimiento tuvieron que derretir sin la descomposición, no tienen ninguna transición polimórfica y son caracterizadas por actividad química baja. El proceso de la cristalización de un derretimiento se aplica en los métodos más extensos de crecimiento monocristalino del zafiro: es decir, el método horizontalmente dirigido de la cristalización (HDC) y el método de Stepanov.

4inch 0.5m m Sapphire Crystal Wafer Single Crystal C-AXIS Epi-listo 04inch 0.5m m Sapphire Crystal Wafer Single Crystal C-AXIS Epi-listo 14inch 0.5m m Sapphire Crystal Wafer Single Crystal C-AXIS Epi-listo 2

PROPIEDADES ÓPTICAS

Transmisión

0,17 a 5,5 um

Índice de refracción

1,75449 (o) 1,74663 (e) en 1,06 um

Pérdida de reflexión

en 1,06 micrones (2 superficies) para o-Ray - 11,7%; para e-Ray - 14,2%

Índice de la absorción

0,3 x 10-3 cm-1 en 2,4 um

dN/dT

13,7 x 10-6 en 5,4 um

dn/dm = 0

1,5 um

PROPIEDADES FÍSICAS

Densidad

3,97 g/cm3

Punto de fusión

2040 grados de C

Conductividad termal

27,21 con (m x K) en 300 K

Extensión termal

5,6 x 10 -6 /K (C-AXIS paralelo) y 5,0 (C-AXIS perpendicular) x 10 -6 /K

Dureza

Knoop 2000 kg/mm 2 con el penetrador 2000g

Capacidad de calor específico

419 j (kilogramo x K)

Constante dieléctrica

11,5 (paralelo C-AXIS) 9,4 (C-AXIS perpendicular) en 1MHz

Módulo de Young (e)

335 GPa

(G) del módulo del esquileo

148,1 GPa

Módulo a granel (k)

240 GPa

Coeficientes elásticos

C11=496C12=164C13=115
C33=498C44=148

Límite elástico evidente

MPa 275 (40.000 PSI)

Ratio de Poisson

0,25

4inch 0.5m m Sapphire Crystal Wafer Single Crystal C-AXIS Epi-listo 3

Control de aceptación

4inch 0.5m m Sapphire Crystal Wafer Single Crystal C-AXIS Epi-listo 4

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