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4inch 0.5m m Sapphire Crystal Wafer Single Crystal C-AXIS Epi-listo
Datos del producto:
| Lugar de origen: | CHINA |
| Nombre de la marca: | BonTek |
| Certificación: | ISO:9001 |
| Número de modelo: | Zafiro (Al2O3) |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 5 pedazos |
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| Precio: | negotiable |
| Detalles de empaquetado: | Casete, tarro, paquete de la película |
| Tiempo de entrega: | 1-4 semanas |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 10000 pedazos/mes |
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Información detallada |
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| Material: | Sapphire Wafer | Tipo: | Solo cristal |
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| Color: | Blanco/rojo/azul | Método del crecimiento: | Cristalización horizontalmente dirigida (HDC) |
| Superficie: | Lado doble polaco | Gama de la FUERZA: | el 85% |
| Uso: | Oblea de Semicondutor, microprocesador llevado, ventana de cristal óptica, cerámica electrónica | Industria: | Vidrio llevado, óptico, oblea eli-lista |
| Resaltar: | oblea cristalina 4inch de zafiro,Sola oblea cristalina de HDC,oblea cristalina 0.5m m de zafiro |
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Descripción de producto
Sapphire Wafer crecida cristalización horizontalmente dirigida 4inch 0.5m m C-AXIS Epi-listo
El solo zafiro cristalino Al2O3 posee una combinación única de propiedades ópticas, físicas y químicas excelentes. El más duro de los cristales del óxido, zafiro Al2O3 conserva su de alta resistencia en las temperaturas altas, tiene buenas propiedades termales y transparencia excelente. La óptica de Sapphire Al 2O3 es químicamente resistente a muchos ácidos y álcalis en las temperaturas hasta 1000 grados de C así como al HF debajo de 300 grados de C. Estas propiedades animan su uso amplio de la óptica de Sapphire Al 2O3 en los ambientes hostiles donde la transmisión óptica en la gama del visible al infrarrojo cercano se requiere.
Ahora la mayoría de cristales está creciendo de derretimiento líquido. Las sustancias más convenientes a crecer cristalinas de un derretimiento tuvieron que derretir sin la descomposición, no tienen ninguna transición polimórfica y son caracterizadas por actividad química baja. El proceso de la cristalización de un derretimiento se aplica en los métodos más extensos de crecimiento monocristalino del zafiro: es decir, el método horizontalmente dirigido de la cristalización (HDC) y el método de Stepanov.
PROPIEDADES ÓPTICAS
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Transmisión |
0,17 a 5,5 um |
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Índice de refracción |
1,75449 (o) 1,74663 (e) en 1,06 um |
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Pérdida de reflexión |
en 1,06 micrones (2 superficies) para o-Ray - 11,7%; para e-Ray - 14,2% |
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Índice de la absorción |
0,3 x 10-3 cm-1 en 2,4 um |
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dN/dT |
13,7 x 10-6 en 5,4 um |
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dn/dm = 0 |
1,5 um |
PROPIEDADES FÍSICAS
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Densidad |
3,97 g/cm3 |
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Punto de fusión |
2040 grados de C |
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Conductividad termal |
27,21 con (m x K) en 300 K |
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Extensión termal |
5,6 x 10 -6 /K (C-AXIS paralelo) y 5,0 (C-AXIS perpendicular) x 10 -6 /K |
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Dureza |
Knoop 2000 kg/mm 2 con el penetrador 2000g |
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Capacidad de calor específico |
419 j (kilogramo x K) |
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Constante dieléctrica |
11,5 (paralelo C-AXIS) 9,4 (C-AXIS perpendicular) en 1MHz |
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Módulo de Young (e) |
335 GPa |
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(G) del módulo del esquileo |
148,1 GPa |
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Módulo a granel (k) |
240 GPa |
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Coeficientes elásticos |
C11=496C12=164C13=115 |
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Límite elástico evidente |
MPa 275 (40.000 PSI) |
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Ratio de Poisson |
0,25 |
Control de aceptación
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