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Desbloquear el tantalato del litio en el aislador (LTOI) para los usos fotónicos avanzados
Datos del producto:
| Lugar de origen: | CHINA |
| Nombre de la marca: | BonTek |
| Certificación: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Número de modelo: | Oblea de LNOI |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 25 piezas |
|---|---|
| Precio: | $2000/pc |
| Detalles de empaquetado: | El paquete del tarro del casete, vacío selló |
| Tiempo de entrega: | 1-4 semanas |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 50000 PC/mes |
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Información detallada |
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| Producto: | LiTaO3 en aislador | Diámetro: | 4 pulgadas, Φ100mm |
|---|---|---|---|
| Capa superior: | Tantalato del litio | Grueso superior: | 300~600nm |
| Insolación: | Óxido termal SiO2 | Grueso de la insolación: | 2000±15nm; 3000±50nm; 4700±100nm |
| Substrato: | oblea de silicio | Uso: | Guías de onda ópticas y Microwaveguides |
| Resaltar: | Tantalato fotónico del litio en aislador,Oblea piezoeléctrica de LTOI |
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Descripción de producto
Desbloquear el potencial del tantalato del litio en el aislador (LTOI) para los usos fotónicos avanzados
LTOI representa tantalato del litio en aislador, es una tecnología especializada del substrato usada en el campo del photonics integrado. Implica la transferencia de una capa delgada del cristal sobre un substrato aislador, típicamente dióxido de silicio (SiO2) o nitruro de silicio (Si3N4) del tantalato del litio (LiTaO3). Los substratos de LTOI ofrecen las ventajas únicas para el desarrollo de dispositivos fotónicos compactos y de alto rendimiento.
Los substratos de LTOI se crean con un proceso de enlace donde una capa delgada del cristal del tantalato del litio se transfiere sobre un substrato aislador. Este proceso se puede alcanzar con diversas técnicas, incluyendo la vinculación de la oblea o el ion-corte, asegurando un enlace fuerte entre las capas.
Los substratos de LTOI ofrecen las ventajas únicas para los usos fotónicos avanzados. Su utilización en moduladores electrópticos, guías de onda, dispositivos ópticos no lineales, sensores, photonics del quántum, y circuitos fotónicos integrados demuestra la gama de usos amplia y el potencial para empujar los límites de la tecnología integrada del photonics.
| Oblea de LTOI | |||
| Estructura | LiTaO3/SiO2/Si | LTV/PLTV | < 1="">)/el 95%del milímetro2 del ∗ 5 |
| Diámetro | ± Φ100 0,2 milímetros | Borde Exclution | 5 milímetros |
| Grueso | 500 μm del ± 20 | Arco | Dentro del μm 50 |
| Longitud plana primaria | ± 47,5 2 milímetros ± 57,5 2 milímetros |
Ajuste del borde | ± 2 0,5 milímetros |
| El biselar de la oblea | R del tipo | Ambiental | Rohs 2,0 |
| LT superior Layer | |||
| Grueso medio | 400/600±10 nanómetro | Uniformidad | < 40nm=""> |
| Índice de la refracción | ningunos > 2,2800, ne < 2=""> | Orientación | ± 0.3° del eje de Z |
| Grado | Óptico | Ra superficial | < 0=""> |
| Defectos | >1m m ningunos; ≦1milímetrodentrode300totales |
Delaminación | Ninguno |
| Rasguño | >el 1cm ningunos; ≦el1cmdentrode3 |
Plano primario | Perpendicular al ± 1° de +Y AXIS |
| Aislamiento SiO2 capas | |||
| Grueso medio | 2000nm ± 100nm del ± 50nm 4700nm del ± 15nm 3000nm | Uniformidad | <> |
| Fabuloso. Método | Óxido termal | Índice de la refracción | 1.45-1.47 @ 633 nanómetro |
| Substrato | |||
| Material | Si | Orientación | <100> ± 1° |
| Orientación plana primaria | <110> ± 1° | Resistencia | > kΩ 10·cm |
| Contaminación de la parte trasera | Ninguna mancha visible | Parte trasera | Grabado de pistas |
