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Oblea piezoeléctrica de la modulación de alta velocidad y del ancho de banda amplio con LNOI POI
Datos del producto:
| Lugar de origen: | CHINA |
| Nombre de la marca: | BonTek |
| Certificación: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Número de modelo: | Oblea de LNOI |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 25 piezas |
|---|---|
| Precio: | $2000/pc |
| Detalles de empaquetado: | El paquete del tarro del casete, vacío selló |
| Tiempo de entrega: | 1-4 semanas |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 1000 PC/mes |
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Información detallada |
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| Producto: | Piezoeléctrico en el aislamiento | Diámetro: | 4 pulgadas, 6 pulgadas |
|---|---|---|---|
| Capa superior: | Niobato de litio | Grueso superior: | 300~600nm |
| Insolación: | Óxido termal SiO2 | Grueso de la insolación: | 2000±15nm; 3000±50nm; 4700±100nm |
| Substrato: | silicio | Uso: | Guías de onda ópticas y Microwaveguides |
| Resaltar: | Oblea piezoeléctrica de la modulación de alta velocidad,Oblea piezoeléctrica del ancho de banda amplio,Oblea piezoeléctrica de LNOI POI |
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Descripción de producto
Permisión de la modulación de alta velocidad y del ancho de banda amplio con LNOI POI
Piezoeléctrico en el aislamiento (POI) refiere a una tecnología donde los materiales piezoeléctricos se integran sobre un substrato aislador. Esto permite la utilización del efecto piezoeléctrico mientras que proporciona el aislamiento eléctrico. La tecnología del POI permite el desarrollo de diversos dispositivos y los sistemas que aprovechan las propiedades únicas de los materiales piezoeléctricos para detectar, la impulsión, y la energía que cosecha usos.
La tecnología del POI (piezoeléctrico en el aislamiento) encuentra diversos usos en diversos campos debido a su capacidad de combinar las ventajas de materiales piezoeléctricos con el aislamiento eléctrico. Por ejemplo los sensores, sistemas y almacenamiento y generación de energía microelectromecánico.
La flexibilidad de integrar los materiales piezoeléctricos sobre un substrato aislador para abrir las posibilidades de las soluciones innovadoras en campos diversos, incluyendo electrónica, energía, atención sanitaria, y más.
| Oblea de LNOI | |||
| Estructura | LN/SiO2/Si | LTV/PLTV | < 1="">)/el 95%del milímetro2 del ∗ 5 |
| Diámetro | ± Φ100 0,2 milímetros | Borde Exclution | 5 milímetros |
| Grueso | 500 μm del ± 20 | Arco | Dentro del μm 50 |
| Longitud plana primaria | ± 47,5 2 milímetros ± 57,5 2 milímetros |
Ajuste del borde | ± 2 0,5 milímetros |
| El biselar de la oblea | R del tipo | Ambiental | Rohs 2,0 |
| Capa superior de LN | |||
| Grueso medio | 400/600±10 nanómetro | Uniformidad | < 40nm=""> |
| Índice de la refracción | ningunos > 2,2800, ne < 2=""> | Orientación | ± 0.3° del eje de X |
| Grado | Óptico | Ra superficial | < 0=""> |
| Defectos | >1m m ningunos; ≦1milímetrodentrode300totales |
Delaminación | Ninguno |
| Rasguño | >el 1cm ningunos; ≦el1cmdentrode3 |
Plano primario | Perpendicular al ± 1° de +Y AXIS |
| Aislamiento SiO2 capas | |||
| Grueso medio | 2000nm ± 100nm del ± 50nm 4700nm del ± 15nm 3000nm | Uniformidad | <> |
| Fabuloso. Método | Óxido termal | Índice de la refracción | 1.45-1.47 @ 633 nanómetro |
| Substrato | |||
| Material | Si | Orientación | <100> ± 1° |
| Orientación plana primaria | <110> ± 1° | Resistencia | > kΩ 10·cm |
| Contaminación de la parte trasera | Ninguna mancha visible | Parte trasera | Grabado de pistas |
