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4 oblea de la pulgada LNOI que alcanza la integración fotónica compacta
Datos del producto:
| Lugar de origen: | CHINA |
| Nombre de la marca: | BonTek |
| Certificación: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Número de modelo: | Oblea de LNOI |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 25 piezas |
|---|---|
| Precio: | $2000/pc |
| Detalles de empaquetado: | El paquete del tarro del casete, vacío selló |
| Tiempo de entrega: | 1-4 semanas |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 50000 PC/mes |
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Información detallada |
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| Producto: | LiNbO3 en aislador | Diámetro: | 4 pulgadas, Φ100mm |
|---|---|---|---|
| Capa superior: | Niobato de litio | Grueso superior: | 300~600nm |
| Insolación: | Óxido termal SiO2 | Grueso de la insolación: | 2000±15nm; 3000±50nm; 4700±100nm |
| Substrato: | silicio | Uso: | Guías de onda ópticas y Microwaveguides |
| Resaltar: | Oblea piezoeléctrica de LNOI,4 oblea de la pulgada LNOI,300nm LiNbO3 en aislador |
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Descripción de producto
Realización de la integración fotónica compacta con las obleas de 4-Inch LNOI
LNOI representa niobato del litio en el aislador, que es una tecnología especializada del substrato usada en el campo del photonics integrado. Los substratos de LNOI son fabricados transfiriendo una capa delgada del cristal sobre un substrato aislador, típicamente dióxido de silicio (SiO2) o nitruro de silicio (Si3N4) del niobato del litio (LiNbO3). Esta tecnología ofrece las ventajas únicas para el desarrollo de dispositivos fotónicos compactos y de alto rendimiento.
La fabricación de los substratos de LNOI implica el enlazar de una capa delgada de LiNbO3 sobre una capa de aislamiento usando técnicas como la vinculación o el ion-corte de la oblea. Esto da lugar a una estructura donde LiNbO3 se suspende en un substrato no-conductor, proporcionando el aislamiento eléctrico y reduciendo las pérdidas ópticas de la guía de onda.
Usos de LNOI:
- Photonics integrado
- Comunicación óptica
- Detección y metrología
- La óptica de Quantum
| Oblea de LNOI | |||
| Estructura | LN/SiO2/Si | LTV/PLTV | < 1="">)/el 95%del milímetro2 del ∗ 5 |
| Diámetro | ± Φ100 0,2 milímetros | Borde Exclution | 5 milímetros |
| Grueso | 500 μm del ± 20 | Arco | Dentro del μm 50 |
| Longitud plana primaria | ± 47,5 2 milímetros ± 57,5 2 milímetros |
Ajuste del borde | ± 2 0,5 milímetros |
| El biselar de la oblea | R del tipo | Ambiental | Rohs 2,0 |
| Capa superior de LN | |||
| Grueso medio | 400/600±10 nanómetro | Uniformidad | < 40nm=""> |
| Índice de la refracción | ningunos > 2,2800, ne < 2=""> | Orientación | ± 0.3° del eje de X |
| Grado | Óptico | Ra superficial | < 0=""> |
| Defectos | >1m m ningunos; ≦1milímetrodentrode300totales |
Delaminación | Ninguno |
| Rasguño | >el 1cm ningunos; ≦el1cmdentrode3 |
Plano primario | Perpendicular al ± 1° de +Y AXIS |
| Aislamiento SiO2 capas | |||
| Grueso medio | 2000nm ± 100nm del ± 50nm 4700nm del ± 15nm 3000nm | Uniformidad | <> |
| Fabuloso. Método | Óxido termal | Índice de la refracción | 1.45-1.47 @ 633 nanómetro |
| Substrato | |||
| Material | Si | Orientación | <100> ± 1° |
| Orientación plana primaria | <110> ± 1° | Resistencia | > kΩ 10·cm |
| Contaminación de la parte trasera | Ninguna mancha visible | Parte trasera | Grabado de pistas |
