• Solo cuadrado pulido lateral SrTiO3 Crystal Wafer 10m m para el semiconductor
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Solo cuadrado pulido lateral SrTiO3 Crystal Wafer 10m m para el semiconductor

Solo cuadrado pulido lateral SrTiO3 Crystal Wafer 10m m para el semiconductor

Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: BonTek
Certificación: ISO:9001, ISO:14001
Número de modelo: Cristal SrTiO3

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 10 PCS
Precio: Negociable
Detalles de empaquetado: Paquete de casete/tarro, sellado al vacío
Tiempo de entrega: 1-4 semanas
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 50000 PCS/Month
Mejor precio Contacto

Información detallada

Material: Solo cristal SrTiO3 Orientación: <100>、<110> ±0.5o<111> del、
Estructura cristalina: Sistema cúbico (a=3.905Å) Densidad: 5.175g/cm3
Superficie: Solo lado pulido CTE: 10,4 ppm/℃
Método del crecimiento: método de la llama Constante dieléctrica: 9,8
Resaltar:

Solo SrTiO3 pulido lateral Crystal Wafer

,

SrTiO3 Crystal Wafer 10m m

,

Solo cristal del semiconductor SrTiO3

Descripción de producto

10m m SrTiO3 cuadrado Crystal Wafer For Semiconductor

 

El solo cristal SrTiO3 tiene la buena estructura de enrejado de los materiales de la estructura de la perovskita. Para el crecimiento epitaxial del HTS y de la mayoría de las películas de óxido, el solo cristal SrTiO3 es un material excelente del substrato. Ha sido ampliamente utilizado en el estudio de películas finas superconductoras das alta temperatura, y también ampliamente utilizado en Windows óptico especial y las blancos de alta calidad de la farfulla.

 

 

Solo cuadrado pulido lateral SrTiO3 Crystal Wafer 10m m para el semiconductor 0Solo cuadrado pulido lateral SrTiO3 Crystal Wafer 10m m para el semiconductor 1Solo cuadrado pulido lateral SrTiO3 Crystal Wafer 10m m para el semiconductor 2

 

Cristalde SrTiO3
Estructura cristalina Sistema cúbico (a=3.905Å)
Densidad 5.175g/cm3
Dopante Intrínseco, el FE dopó, el neodimio (Nd) dopado, niobio dopado
Coeficiente de extensión termal 10.4ppm/℃
Constante dieléctrica 9,8
Orientación <100><110>,<111> ±0.5o, como sea necesario
Dimensión Dia30×0.5mm, 20×20×0.5m m, 15×15×0.5m m 10×10×0.5m m, 10×5×0.5m m, 5×5×0.5m m
Final superficial 单面或双面抛光
Aspereza superficial ≤5Å
Paquete Bolso limpio de 100 clases, paquete del tarro, paquete de la película
 

 

 

Solo cuadrado pulido lateral SrTiO3 Crystal Wafer 10m m para el semiconductor 3

 

Solo cuadrado pulido lateral SrTiO3 Crystal Wafer 10m m para el semiconductor 4

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