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Diámetro 76.2m m Sapphire Substrate Optical Crystal Windows de 3 pulgadas
Datos del producto:
| Lugar de origen: | CHINA |
| Nombre de la marca: | BonTek |
| Certificación: | ISO:9001 |
| Número de modelo: | Zafiro (Al2O3) |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 5 pedazos |
|---|---|
| Precio: | Negociable |
| Detalles de empaquetado: | Casete, tarro, paquete de la película |
| Tiempo de entrega: | 1-4 semanas |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 10000 pedazos/mes |
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Información detallada |
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| Material: | Oblea Al2O3 | Pureza: | 99,999% |
|---|---|---|---|
| Punto de fusión: | °C 2040 | Conductividad termal: | 27,21 con (m x K) en 300 K |
| Diámetro: | 3 pulgadas, 76.2m m | Dureza: | 9,0 Mohs |
| Capacidad de calor específico: | 419 j (kilogramo x K) | Constante dieléctrica: | 11,5 (paralelo C-AXIS) 9,4 (C-AXIS perpendicular) en 1MHz |
| Resaltar: | Sapphire Substrate Optical Crystal Windows,3 pulgadas Sapphire Substrate Wafer,Diámetro 76.2m m Sapphire Wafer |
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Descripción de producto
Diámetro 76.2m m Sapphire Substrate Optical Crystal Windows de 3 pulgadas
El solo zafiro cristalino Al2O3 posee una combinación única de propiedades ópticas, físicas y químicas excelentes. El más duro de los cristales del óxido, zafiro Al2O3 conserva su de alta resistencia en las temperaturas altas, tiene buenas propiedades termales y transparencia excelente. La óptica de Sapphire Al 2O3 es químicamente resistente a muchos ácidos y álcalis en las temperaturas hasta 1000 grados de C así como al HF debajo de 300 grados de C. Estas propiedades animan su uso amplio de la óptica de Sapphire Al 2O3 en los ambientes hostiles donde la transmisión óptica en la gama del visible al infrarrojo cercano se requiere.
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Artículo |
C-avión 3-inch (0001) 650μm Sapphire Wafers |
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Crystal Materials |
El 99.999%, pureza elevada, Al2O3 monocristalino |
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Grado |
Primero, Epi-listo |
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Orientación superficial |
C-avión (0001) |
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apagado-ángulo del C-avión hacia M-AXIS 0,2 +/- 0.1° |
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Diámetro |
76,2 milímetro +/- 0,1 milímetros |
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Grueso |
μm 650 +/- μm 25 |
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Orientación plana primaria |
Uno-avión (11-20) +/- 0.2° |
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Longitud plana primaria |
22,0 milímetro +/- 1,0 milímetros |
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Solo lateral pulido |
Front Surface |
Epi-pulido, Ra < 0=""> |
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(SSP) |
Superficie trasera |
Tierra fina, Ra = 0,8 μm al μm 1,2 |
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Lateral doble pulido |
Front Surface |
Epi-pulido, Ra < 0=""> |
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(DSP) |
Superficie trasera |
Epi-pulido, Ra < 0=""> |
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TTV |
< 20=""> |
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ARCO |
< 20=""> |
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DEFORMACIÓN |
< 20=""> |
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Limpieza/que empaqueta |
Recinto limpio de la clase 100 que limpia y que empaqueta al vacío, empaquetado de la pieza única. |
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| PROPIEDADES FÍSICAS de SAPPHIRE Al 2O3 | |
| Densidad | 3,97 g/cm3 |
| Punto de fusión | 2040 grados de C |
| Conductividad termal | 27,21 con (m x K) en 300 K |
| Extensión termal | 5,6 x 10 -6 /K (C-AXIS paralelo) y 5,0 (C-AXIS perpendicular) x 10 -6 /K |
| Dureza | Knoop 2000 kg/mm 2 con el penetrador 2000g |
| Capacidad de calor específico | 419 j (kilogramo x K) |
| Constante dieléctrica | 11,5 (paralelo C-AXIS) 9,4 (C-AXIS perpendicular) en 1MHz |
| Módulo de Young (e) | 335 GPa |
| (G) del módulo del esquileo | 148,1 GPa |
| Módulo a granel (k) | 240 GPa |
| Coeficientes elásticos | C11=496C12=164C13=115 C33=498C44=148 |
| Límite elástico evidente | MPa 275 (40.000 PSI) |
| Ratio de Poisson | 0,25 |
Control de aceptación