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El avión de C pulió la pulgada 0001 430um de Sapphire Single Crystal Wafer 2
Datos del producto:
| Lugar de origen: | China |
| Nombre de la marca: | BonTek |
| Certificación: | ISO:9001 |
| Número de modelo: | Zafiro (Al2O3) |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 5 pedazos |
|---|---|
| Precio: | Negociable |
| Detalles de empaquetado: | Casete, tarro, paquete de la película |
| Tiempo de entrega: | 1-4 semanas |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 10000 pedazos/mes |
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Información detallada |
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| Material: | Zafiro | Crecimiento: | Método de Kyropoulos |
|---|---|---|---|
| Punto de fusión: | 2040 grados de C | Conductividad termal: | 27,21 con (m x K) en 300 K |
| CTE: | 5,6 x 10 -6 /K (C-AXIS paralelo); 5,0 (C-AXIS perpendicular) x 10 -6 /K | Dureza: | Knoop 2000 kg/mm 2 con el penetrador 2000g |
| Capacidad de calor específico: | 419 j (kilogramo x K) | Constante dieléctrica: | 11,5 (paralelo C-AXIS) 9,4 (C-AXIS perpendicular) en 1MHz |
| Resaltar: | Sapphire Single Crystal Wafer pulida,Avión solo Crystal Wafer de C,2 pulgadas Sapphire Substrate Wafer |
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Descripción de producto
2 oblea del avión 0001 430um Sapphire Single Crystal Wafers Polished de la pulgada C
El zafiro es un solo cristal del alúmina y es el material segundo-más duro de la naturaleza, después de diamante. El zafiro tiene buena transmitencia ligera, de alta resistencia, resistencia de la colisión, lleva la resistencia, resistencia a la corrosión y la resistencia del temperatura alto y de alta presión, biocompatibility, es un material ideal del substrato para la producción de los dispositivos optoelectrónicos del semiconductor, las propiedades eléctricas del zafiro hacer que se convierte en el material del substrato para la producción de LED blanco y azul.
Grueso a largo plazo ≧0.1mm, oblea de la producción de nuestra compañía del zafiro alta precisión del tamaño ≧Φ2 de la forma de la”. Además del Φ2 convencional “, Φ4”, Φ6 “, Φ8”, otros tamaños se puede modificar para requisitos particulares, entra en contacto con por favor a nuestro personal de ventas.
| Artículo | C-avión de 2 pulgadas (0001) 430μm Sapphire Wafers | |
| Crystal Materials | El 99.999%, pureza elevada, Al2O3 monocristalino | |
| Grado | Primero, Epi-listo | |
| Orientación superficial | C-avión (0001) | |
| apagado-ángulo del C-avión hacia M-AXIS 0,2 +/- 0.1° | ||
| Diámetro | 50,8 milímetro +/- 0,1 milímetros | |
| Grueso | μm 430 +/- μm 25 | |
| Orientación plana primaria | Uno-avión (11-20) +/- 0.2° | |
| Longitud plana primaria | 16,0 milímetro +/- 1,0 milímetros | |
| Solo lateral pulido | Front Surface | Epi-pulido, Ra < 0=""> |
| (SSP) | Superficie trasera | Tierra fina, Ra = 0,8 μm al μm 1,2 |
| Lateral doble pulido | Front Surface | Epi-pulido, Ra < 0=""> |
| (DSP) | Superficie trasera | Epi-pulido, Ra < 0=""> |
| TTV | < 10=""> | |
| ARCO | < 10=""> | |
| DEFORMACIÓN | < 10=""> | |
| Limpieza/que empaqueta | Recinto limpio de la clase 100 que limpia y que empaqueta al vacío, | |
| 25 pedazos en un casete que empaqueta o empaquetado de la pieza única. | ||
| PROPIEDADES ÓPTICAS de SAPPHIRE Al 2O3 | |
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Alcance de transmisión |
0,17 a 5,5 micrones |
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Índice de refracción |
1,75449 (o) 1,74663 (e) en 1,06 micrones |
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Pérdida de reflexión |
en 1,06 micrones (2 superficies) para o-Ray - 11,7%; para e-Ray - 14,2% |
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Ponga en un índice de la absorción |
0,3 x 10-3 cm-1 en 2,4 micrones |
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dN/dT |
13,7 x 10-6 en 5,4 micrones |
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dn/dm = 0 |
1,5 micrones |
| PROPIEDADES FÍSICAS de SAPPHIRE Al 2O3 | |
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Densidad |
3,97 g/cm3 |
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Punto de fusión |
2040 grados de C |
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Conductividad termal |
27,21 con (m x K) en 300 K |
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Extensión termal |
5,6 x 10 -6 /K (C-AXIS paralelo) y 5,0 (C-AXIS perpendicular) x 10 -6 /K |
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Dureza |
Knoop 2000 kg/mm 2 con el penetrador 2000g |
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Capacidad de calor específico |
419 j (kilogramo x K) |
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Constante dieléctrica |
11,5 (paralelo C-AXIS) 9,4 (C-AXIS perpendicular) en 1MHz |
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Módulo de Young (e) |
335 GPa |
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(G) del módulo del esquileo |
148,1 GPa |
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Módulo a granel (k) |
240 GPa |
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Coeficientes elásticos |
C11=496C12=164C13=115 |
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Límite elástico evidente |
MPa 275 (40.000 PSI) |
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Ratio de Poisson |
0,25 |
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Orientación |
R-avión, C-avión, Uno-avión, M-avión o una orientación especificada |
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Tolerancia de la orientación |
± 0.3° |
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Diámetro |
2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas u otras |
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Tolerancia del diámetro |
0.1m m para 2 pulgadas, 0.2m m para 3 pulgadas, 0.3m m para 4 pulgadas, 0.5m m para 6 pulgadas |
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Grueso |
0.25m m, 0.33m m, 0.43m m, 0.65m m, 1m m u otros; |
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Tolerancia del grueso |
los 25μm |
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Longitud plana primaria |
16.0±1.0m m para 2 pulgadas, 22.0±1.0m m para 3 pulgadas, 30.0±1.5m m para 4 pulgadas, 47.5/50.0±2.0m m para 6 pulgadas |
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Orientación plana primaria |
± 0.2° del Uno-avión (1 1-2 0); C-avión (0 0-0 1) ± 0.2°, C-AXIS proyectado 45 +/- 2° |
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TTV |
≤10µm para 2 pulgadas, ≤15µm para 3 pulgadas, ≤20µm para 4 pulgadas, ≤25µm para 6 pulgadas |
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ARCO |
≤10µm para 2 pulgadas, ≤15µm para 3 pulgadas, ≤20µm para 4 pulgadas, ≤25µm para 6 pulgadas |
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Front Surface |
Epi-pulido (Ra< 0=""> |
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Superficie trasera |
Tierra fina (Ra=0.6μm~1.4μm) o Epi-pulido |
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Empaquetado |
Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100 |