El avión de 2 pulgadas C pulió a Sapphire Wafers Crystal Substrates
Datos del producto:
Lugar de origen: | China |
Nombre de la marca: | BonTek |
Certificación: | ISO:9001 |
Número de modelo: | Zafiro (Al2O3) |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 25 piezas |
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Precio: | Negociable |
Detalles de empaquetado: | Casete, tarro, paquete de la película |
Tiempo de entrega: | 1-4 semanas |
Condiciones de pago: | T/T |
Capacidad de la fuente: | 10000 pedazos/mes |
Información detallada |
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Material: | Sapphire Crystal Wafer | Tipo de corte: | C-AXIS [0001], R-AXIS [1-102], Uno-AXIS [11-20], M-AXIS [10-10] |
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Rango de transmisión: | 0,17 a 5,5 micrones | índice de refracción: | 1,75449 (o) 1,74663 (e) en 1,06 micrones |
TTV: | <10um | arco: | <15um |
Deformación: | <15um | Constante dieléctrica: | 11,5 (paralelo C-AXIS) 9,4 (C-AXIS perpendicular) en 1MHz |
Resaltar: | Sapphire Crystal Wafer pulida,El avión de C pulió a Sapphire Wafers,2 pulgadas Sapphire Substrates Wafers |
Descripción de producto
El avión de Sapphire Crystal C de 2 pulgadas pulió a Sapphire Wafers Sapphire Substrates
Especificación:
Solo cristal Al2O3 99,999%
Orientación: R-AXIS 0.5°
Diámetro: 50.8±0.1m m
Grueso: 430±15um o 330±15um
Plano primario: 16±1m m
Del plano de la orientación: C-avión del eje 45°±0.1° de R a de C (0001)
Aspereza superficial de Frontside: Ra<0.2nm
Aspereza superficial de la parte trasera: 0.8~1.2um (o lado doble pulido, lado Ra<0.2nm)
TTV: ARCO de <10um: - DEFORMACIÓN 10~0um: <10um
Laser Mark Series No. por necesidades
Paquete: los envases Vacío-sellados con nitrógeno rellenan en un ambiente de la clase 100
Limpieza: Contaminación visible libre
1. El zafiro tiene una alta transmitencia óptica, así que es ampliamente utilizado como el material dieléctrico del tubo microelectrónico, el elemento ultrasónico de la conducción, la cavidad del laser de la guía de onda, y otros elementos ópticos, como materiales de la ventana para los dispositivos militares infrarrojos, los vehículos de espacio, los lasers de alta intensidad y las comunicaciones ópticas.
2. El zafiro tiene alta rigidez, temperatura de trabajo de alta resistencia, alta, resistencia de abrasión, características de la resistencia a la corrosión, substrato del zafiro es tan de uso frecuente en ambientes duros, tales como indicador de agua de la caldera (resistencia da alta temperatura), el escáner de código de barras de la materia, el transporte, y la otra fabricación de la precisión (resistencia de desgaste), carbón, gas, los sensores bien de la detección y las ventanas del detector (anticorrosión).
3. El zafiro tiene las características del aislamiento eléctrico, de la transparencia, de la buena conductividad termal, y de la alta rigidez, así que puede ser utilizado como el material del substrato de circuitos integrados, tales como LED y circuitos microelectrónicos, circuito integrado de la ultra-alto-velocidad.
PROPIEDADES ÓPTICAS de SAPPHIRE Al 2O3 | |
Alcance de transmisión |
0,17 a 5,5 micrones |
Índice de refracción |
1,75449 (o) 1,74663 (e) en 1,06 micrones |
Pérdida de reflexión |
en 1,06 micrones (2 superficies) para o-Ray - 11,7%; para e-Ray - 14,2% |
Ponga en un índice de la absorción |
0,3 x 10-3 cm-1 en 2,4 micrones |
dN/dT |
13,7 x 10-6 en 5,4 micrones |
dn/dm = 0 |
1,5 micrones |
PROPIEDADES FÍSICAS de SAPPHIRE Al 2O3 | |
Densidad |
3,97 g/cm3 |
Punto de fusión |
2040 grados de C |
Conductividad termal |
27,21 con (m x K) en 300 K |
Extensión termal |
5,6 x 10 -6 /K (C-AXIS paralelo) y 5,0 (C-AXIS perpendicular) x 10 -6 /K |
Dureza |
Knoop 2000 kg/mm 2 con el penetrador 2000g |
Capacidad de calor específico |
419 j (kilogramo x K) |
Constante dieléctrica |
11,5 (paralelo C-AXIS) 9,4 (C-AXIS perpendicular) en 1MHz |
Módulo de Young (e) |
335 GPa |
(G) del módulo del esquileo |
148,1 GPa |
Módulo a granel (k) |
240 GPa |
Coeficientes elásticos |
C11=496C12=164C13=115 |
Límite elástico evidente |
MPa 275 (40.000 PSI) |
Ratio de Poisson |
0,25 |
Control de aceptación